EN
RU
AR
CS
DA
NL
FR
DE
EL
IT
JA
KO
PL
PT
RO
ES
IW
SR
UK
HU
TR
FA
GA
BE
UZ
KU
د LK-HHPD لوړ سرعت InGaAs Photodetector
- پراخ بینډ ویت، لوړ سرعت
- لوړ مسؤلیت
- شامل شوي Bias-T
- لوړ اشباعي ان پټ
- په هرمیتیک ډول مهر شوی، SMA نښلونکی
- ټیټ تیاره اوسنۍ، لوړ سیګنال او شور نسبت.
- د کوچني فارم فکتور.
د تولید ځانګړتیاوې
LK-HHPD د لوړ سرعت کشف کونکي ماډل دی چې د ډیجیټل او انلاګ غوښتنلیکونو لپاره مناسب دی، د InGaAs PIN فوټوډیوډ لري چې د 1250 څخه تر 1650 nm پورې طول موجونه پوښي. دا 12 GHz یا 18 GHz بینډ ویت وړاندې کوي او په +5V بریښنا چلیږي. ماډل د معیاري واحد حالت 9/125μm فایبر سره مطابقت لري او د 50 ohm امپیډینس میچ سره د RF محصول لپاره SMA نښلونکی لري.
LK-HHPD د لوړ ډیټا-ریټ غوښتنلیکونو لپاره مناسب دی، دا د چاپیریالي عواملو په وړاندې د ساتنې لپاره په هرمیټ ډول مهر شوی، د اعتبار او اوږد عمر ډاډمن کوي. دا یو سپک ډیزاین لري، د 23 ګرامو څخه کم وزن سره، کوم چې د پورټ ایبل یا ځای محدود غوښتنلیکونو لپاره ګټور دی. ماډل د خطرناکو موادو محدودیت (RoHS) لارښود 2.0 سره په مطابقت کې تصدیق شوی، چې د چاپیریال او خوندیتوب معیارونو سره سمون ښیې.
تخنیکي مشخصاتو
| عادي او مطلق اعظمي درجه | ||||
|---|---|---|---|---|
| د پاراميټر | سیم. | ډول | درجه | د واحد |
| د ذخیره کولو د تودوخې حد | TSTG | -45 ～ +85 | -55 ～ +100 | ℃ |
| د عملیاتي قضیې د حرارت درجه | TC | 25 | -40 ～ +85 | ℃ |
| تعصب ولتاژ | VR | 5 | +۴.۷۵ ～ +۵.۲۵ | V |
| د آپټیکل ان پټ پاور | قید | 0 | + 13 | dBm |
| سوځول شوی نظری ځواک | PB | - | + 16 | dBm |
| د لیډ سولډرینګ حرارت | Tp | 280 (10s) | 330 (10s) | ℃ |
| بریښنایی / نظری ځانګړتیاوې (TC = ۲۲ ± ۳ ℃ ) | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| د پاراميټر | سیم | د ازمونې حالت | د پیرامیټر ارزښتونه | د واحد | ||
| د څپې اوږدوالی حد | λ | - | 1000 - 1650 | nm | ||
| د فریکونسۍ حد | - | - | ایکس - بانډ | کو - بانډ | - | |
| د کوچني سیګنال بینډ ویت | f-3DB | TC = 22 ± 3℃ | ۱۰۰۰ ~ ۱۶۵۰ | ۱۰۰۰ ~ ۱۶۵۰ | GHz | |
| مسؤلیت | Re | VR =+5 وولټ، پin = ۱۰ میګاواټه | λ = ۱۳۱۰ نانومیټره | 0.75 XNUMX | 0.75 XNUMX | A / W |
| λ = ۱۳۱۰ نانومیټره | 0.7 XNUMX | 0.7 XNUMX | ||||
| وتیس VSWR | VSWR | - | ≤ 2 | ≤ 2.2 | - | |
| طول البلد | A | TC =-45～+85 ℃ | ≤ ±1.5 | dB | ||
| د سنتریشن نظری ځواک | Ps | VR =+5 V، λ = ۱۵۵۰ نانومیټره AC ماډل شوی |
13 | dBm | ||
| د سنتریت RF تولید بریښنا | Pڅخه | - | -10 | dBm | ||
| تیاره | Id | VR = ۵ وولټ | ≤ 10 | nA | ||
| د وتلو اغیزه | RL | - | 50 | Ω | ||
● د ځواب ویلو ځانګړي منحني
(شکل ۱ ایکس - د بانډ فوټوډیټیکټر فریکونسي غبرګون)
(شکل 2 Ku - د بانډ فوټوډیټیکټر فریکونسي غبرګون)
● ابعاد او پنونه (یونټ: انچ)
د RF نښلونکی: SMA نښلونکی
oد خبرتیا معلومات
پاڼه 1:
| کوډ | انلاګ بینډ ویت |
| X | 0.3 ～ 12 GHz |
| Ku | 0.8 ～ 18 GHz |
پاڼه 2:
| کوډ | د نښلونکی ډول | تبصره |
| N | نښلونکی نشته | د واحد حالت 9 / 125 μm فایبر سور |
| A | FC / APC |
● احتیاطي تدابیر
د فایبر د خرابیدو مخنیوي لپاره د فایبر د خمیدو شعاع له 20 ملي میتر څخه کمه نه وي.
ډاډ ترلاسه کړئ چې د فایبر جوړه کولو اړخ پاک دی مخکې له دې چې دا د آپټو سرکټ سره وصل شي.
مناسب ESD محافظت په ذخیره کولو، ترانسپورت او کارولو کې اړین دی.
زموږ ټول معیاري فوتوډیکټورونه په ماډلونو کې تنظیم کیدی شي！
غوښتنلیکونه
د نوری فایبر مخابرات
د رادار د معلوماتو پروسس کول
بریښنایی جنګ
د لوړ سرعت سیګنال ازموینه او اندازه کول
امنیت او څارنه
